Ссылки для упрощенного доступа

logo-print

Разработан «баллистический транзистор»


Исследователи из Университета Рочестера (Rochester University) в американском штате Нью-Йорк под руководством Квентина Дидака (Quentin Diduck) разработали транзистор принципиально нового типа, который позволит увеличить быстродействие электронных микросхем на несколько порядков. Разработка американских ученых получила название Ballistic Deflection Transistor (транзистор с баллистическим отклонением). В новом транзисторе используется специальный полупроводниковый материал, в котором атомы примесей не влияют на движение электронов (двумерный электронный газ). При этом отдельные электроны, проходя через поляризованный затвор, отклоняются электрическим полем и затем отражаются от одной из граней клиновидного препятствия. Электроны отражаются влево или вправо в зависимости от величины приложенного напряжения, что соответствует нолю и единице. Транзисторы с баллистическим отклонением могут быть значительно меньше применяемых в настоящее время и могут работать на несколько порядков быстрее. Теоретически, эта технология позволяет строить микросхемы с частотами до 3 терагерц (3 тысячи гигагерц). Кроме того, новые транзисторы потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла. В настоящее время исследовательская группа работает над созданием промышленного образца баллистического транзистора.
XS
SM
MD
LG