Группа американских ученых разработала новую лазерную технологию для очистки поверхности кремниевого кристалла от атомов водорода. Кремний служит основой для производства микросхем, в частности, микропроцессоров, а также солнечных батарей и других полупроводниковых устройств. Чтобы предотвратить окисление поверхности кремниевых кристаллов в процессе обработки, используется водород. Но и его надо удалить непосредственно перед изготовлением микросхемы. Для этого кристалл нагревают до температуры 550 градусов Цельсия. Высокая температура иногда вызывает нарушения в кристаллической решетке кремния, что приводит к сбоям в работе микросхем. Новая лазерная технология позволяет очистить поверхность кристалла без нагрева. Это должно снизить выход брака и уменьшить стоимость производства микросхем.
