Компании Toshiba и NEC сообщили о разработке чипа магниторезистивной памяти (magnetoresistive random access memory - MRAM). Главное преимущество разработки - самая высокая скорость чтения и записи для всех типов памяти, существующих на сегодняшний. Скорость составляет 200 мегабайт в секунду. Кроме того память обладает высокой плотностью и низким энергопотреблением, что очень хорошо подходит для мобильных устройств. Как ожидают эксперты, MRAM станет энергонезависимой памятью нового поколения, которая сохраняет информацию после отключения питания. При высокой скорости доступа этот тип памяти сможет играть роль как оперативной, так и внешней памяти. При этом исчезнет необходимость во внешних накопителях, и всю память можно будет интегрировать в одном чипе.