Ссылки для упрощенного доступа

Лазерная очистка кремния повысит качество микросхем


Группа американских ученых разработала новую лазерную технологию для очистки поверхности кремниевого кристалла от атомов водорода. Кремний служит основой для производства микросхем, в частности, микропроцессоров, а также солнечных батарей и других полупроводниковых устройств. Чтобы предотвратить окисление поверхности кремниевых кристаллов в процессе обработки, используется водород. Но и его надо удалить непосредственно перед изготовлением микросхемы. Для этого кристалл нагревают до температуры 550 градусов Цельсия. Высокая температура иногда вызывает нарушения в кристаллической решетке кремния, что приводит к сбоям в работе микросхем. Новая лазерная технология позволяет очистить поверхность кристалла без нагрева. Это должно снизить выход брака и уменьшить стоимость производства микросхем.

Российский Открытый (Международный) фестиваль документального кино АРТДОКФЕСТ / Russian Open Documentary Film Festival “Artdocfest”

XS
SM
MD
LG