25 января 2006 года корпорация Intel объявила о создании первой в мире микросхемы статической памяти емкостью 153 мегабайта, которая изготовлена по 45-нанометровой технологии. Основой производственного процесса является 20-нанометровый транзистор. Как утверждают разработчики, использование таких транзисторов позволит довести рабочую частоту микросхем до 20 гигагерц.
